6 inch N-Type of P-type Silicon wafer CZ Si wafer

Koarte beskriuwing:

6-inch silisiumwafels binne in gewoan silisiumsubstraatmateriaal dat in soad brûkt wurdt yn 'e fabrikaazje fan yntegreare circuits.Dizze wafers wurde ferwurke en skjinmakke om ferskate soarten yntegreare circuits te meitsjen, ynklusyf mikroprozessors, ûnthâldchips, sensors en oare elektroanyske apparaten.Foardielen fan 6-inch silisium wafers omfetsje harren grutte oerflak, goede termyske conductivity, en relatyf lege kosten.Dizze skaaimerken meitsje 6-inch silisiumwafels ien fan 'e ideale karren foar produksje fan yntegreare circuits.

Stjoer e-mail nei ús

Produkt Detail

Produkt Tags

Yntrodusearje fan wafer box

De spesifikaasjes fan silisium wafer:

6-inch Silicon wafer Growth: CZ, MCZ, FZ.

6 Silicon wafer Grade: Prime, Test, Dummy, ensfh

6 inch silisium wafer Diameter: 6 inch/150 mm.

6 inch silisium wafel dikte: 200 ~ 3000um.

6-inch silisium wafer finish: as snije, lappe, etste, SSP, DSP, ensfh.

6 inch silisium wafer Oriïntaasje: (100) (111) (110) (531) (553) ensfh.

6 inch silisium wafer Off cut: oant 4 graden.

6 inch silisium wafer Type / Doant: P/B, N/Phos, N/As, N/Sb, Intrinsic.

6inch Silicon wafer Resistivity: CZ / MCZ: Fan 0,001 oan 1000 ohm-cm.FZ: oant 20k ohm-cm.

6inch Silicon wafer Tinne films: (a) PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni;, Fe, Mo. ensfh, Coating diktes oant 20.000A/5%.

(b) LPCVD / PECVD: Oxide, Nitride, siC, ensfh, Coating dikten oant 200.000A/3%.

6inch Silicon wafer Processes: a.DSP, ultra tinne, ultra plat, etc.

b.Downsizing, werom grinding, dicing, etc. c.MEMS.

Sûnt 2010, Shanghai XKH Material Tech.Co., Ltd. Nitride wafels Si3N4, aluminium plated wafers, koper plated silisium wafers, SOI wafer, MEMS Glass, oanpaste ultra-dikke en ultra-plat wafers, ensfh / double-sided polishing, thinning, dicing, MEMS en oare ferwurkjen en maatwurk tsjinsten.