6-inch 150 mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N type foar MOS of SBD Production Research en Dummy grade

Koarte beskriuwing:

It 6-inch silisiumkarbid-ienkristal-substraat is in materiaal mei hege prestaasjes mei poerbêste fysike en gemyske eigenskippen.Produsearre fan ienkristal materiaal mei hege suverens silisiumkarbid, toant it superieure thermyske konduktiviteit, meganyske stabiliteit en ferset tsjin hege temperatueren.Dit substraat, makke mei presys produksjeprosessen en materialen fan hege kwaliteit, is it foarkommende materiaal wurden foar de fabryk fan heech-effisjinsje elektroanyske apparaten op ferskate fjilden.

Stjoer e-mail nei ús

Produkt Detail

Produkt Tags

Applikaasje fjilden

It 6-inch silisiumkarbid-ienkristalsubstraat spilet in krúsjale rol yn meardere yndustry.As earste wurdt it in protte brûkt yn 'e semiconductor-yndustry foar de fabryk fan elektroanyske apparaten mei hege krêft lykas krêfttransistors, yntegreare circuits en krêftmodules.Syn hege termyske conductivity en hege-temperatuer ferset meitsje it mooglik om better waarmte dissipation, resultearret yn ferbettere effisjinsje en betrouberens.Twads binne silisiumkarbidwafels essensjeel yn ûndersyksfjilden foar de ûntwikkeling fan nije materialen en apparaten.Derneist fynt de silisiumkarbidwafer wiidweidige applikaasjes op it mêd fan opto-elektroanika, ynklusyf de fabrikaazje fan LED's en laserdiodes.

Produkt Spesifikaasjes

It 6-inch silisiumkarbid-ienkristalsubstraat hat in diameter fan 6 inch (sawat 152,4 mm).De oerflakruwheid is Ra <0.5 nm, en de dikte is 600 ± 25 μm.It substraat kin oanpast wurde mei N-type as P-type konduktiviteit, basearre op klanteasken.Boppedat toant it útsûnderlike meganyske stabiliteit, by steat om druk en trilling te wjerstean.

Diameter		150 ± 2.0 mm (6 inch)
Dikte		350 μm±25μm
Oriïntaasje		Op as: <0001>±0,5°		Off-as: 4.0° nei 1120 ± 0.5°
Polytype		4H
Resistiviteit (Ω·cm)	4H-N	0.015~0.028 Ω·cm/0.015~0.025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Primêre platte oriïntaasje		{10-10}±5,0°
Primêre platte lingte (mm)		47,5 mm±2,5 mm
Râne		Chamfer
TTV/Bow/Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM Front (Si-face)		Poalsk Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5 nm
LTV		≤3μm (10mm*10mm)	≤5μm (10mm*10mm)		≤10μm (10mm*10mm)
TTV		≤5 μm	≤10μm		≤15μm
Oranjeskil/pitten/barsten/fersmoarging/flekken/strielen		Gjin	Gjin		Gjin
ynspringen		Gjin	Gjin		Gjin

It 6-inch silisiumkarbid-ienkristal-substraat is in heechprestearjend materiaal dat in soad brûkt wurdt yn 'e semiconductor, ûndersyk, en opto-elektroanyske yndustry.It biedt poerbêste termyske conductivity, meganyske stabiliteit, en hege-temperatuer ferset, wêrtroch't it geskikt foar de fabrikaazje fan hege-power elektroanyske apparaten en nij materiaal ûndersyk.Wy leverje ferskate spesifikaasjes en oanpassingsopsjes om te foldwaan oan ferskate klanteasken.Nim kontakt mei ús op foar mear details oer silisiumkarbidwafels!