150mm 200mm 6inch 8inch GaN op Silicon Epi-layer wafer Gallium nitride epitaksiale wafer

150mm 200mm 6inch 8inch GaN op Silicon Epi-laach wafer Gallium nitride epitaksiale wafer Featured Image

Koarte beskriuwing:

De 6-inch GaN Epi-laach wafer is in heechweardich semiconductor materiaal besteande út lagen fan gallium nitride (GaN) groeid op in silisium substraat.It materiaal hat poerbêste elektroanyske ferfiereigenskippen en is ideaal foar it meitsjen fan hege krêftige en hege frekwinsje semiconductor-apparaten.

Stjoer e-mail nei ús

Produkt Detail

Produkt Tags

Manufacturing metoade

It fabrikaazjeproses omfettet it groeien fan GaN-lagen op in saffiersubstraat mei avansearre techniken lykas metaal-organyske gemyske dampdeposysje (MOCVD) of molekulêre beam-epitaxy (MBE).It ôfsettingsproses wurdt útfierd ûnder kontroleare omstannichheden om hege kristalkwaliteit en unifoarme film te garandearjen.

6-inch GaN-On-Sapphire-applikaasjes: 6-inch saffier-substraatchips wurde in soad brûkt yn mikrogolfkommunikaasje, radarsystemen, draadloze technology en opto-elektroanika.

Guon mienskiplike applikaasjes omfetsje

1. Rf macht fersterker

2. LED ferljochting yndustry

3. Triedleaze netwurk kommunikaasje apparatuer

4. Elektroanyske apparaten yn hege temperatuer omjouwing

5. Opto-elektroanyske apparaten

Produkt spesifikaasjes

- Grutte: De substraatdiameter is 6 inch (sawat 150 mm).

- Oerflakkwaliteit: It oerflak is fyn gepolijst om poerbêste spegelkwaliteit te leverjen.

- Dikte: De dikte fan GaN-laach kin wurde oanpast neffens spesifike easken.

- Ferpakking: It substraat is foarsichtich ynpakt mei antystatyske materialen om skea tidens ferfier te foarkommen.

- Posysjerânen: It substraat hat spesifike posysjerânen dy't ôfstimming en operaasje fasilitearje by it tarieden fan it apparaat.

- Oare parameters: Spesifike parameters lykas tinne, resistiviteit en dopingkonsintraasje kinne oanpast wurde neffens klanteasken.

Mei har superieure materiaaleigenskippen en ferskate tapassingen binne 6-inch saffiersubstraatwafels in betroubere kar foar de ûntwikkeling fan heechprestearjende semiconductor-apparaten yn ferskate yndustry.

Substraat	6" 1mm <111> p-type Si	6" 1mm <111> p-type Si
Epi ThickGem	~5 omt	~7um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Bôge	+/- 45um	+/- 45um
Kraken	<5 mm	<5 mm
Fertikaal BV	>1000V	>1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT ThickGem	20-30 nm	20-30 nm
Insitu SiN Cap	5-60 nm	5-60 nm
2DEG kons.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Mobiliteit	~2000 sm²/Vs (<2%)	~2000 sm²/Vs (<2%)
Rsh	<330 ohm/sq (<2%)	<330 ohm/sq (<2%)