Silicon-On-Isolator Substrate SOI wafer trije lagen foar mikroelektronika en radiofrekwinsje

Silicon-On-Isolator Substrate SOI wafer trije lagen foar Microelectronics en Radio Frequency Featured Image

Koarte beskriuwing:

SOI folsleine namme Silicon On Isolator, is de betsjutting fan silisium transistor struktuer boppe op 'e isolator, it prinsipe is tusken de silisium transistor, add isolator materiaal, kin meitsje de parasitêr capacitance tusken de twa as it orizjineel minder as dûbel.

Stjoer e-mail nei ús

Produkt Detail

Produkt Tags

Yntrodusearje fan wafer box

Yntroduksje fan ús avansearre Silicon-On-Insulator (SOI) wafer, sekuer makke mei trije ûnderskate lagen, revolúsjonearjende mikro-elektroanika en radiofrekwinsje (RF) applikaasjes.Dit ynnovative substraat kombineart in boppeste silisiumlaach, in isolearjende oksidelaach, en in silisiumsubstraat oan 'e ûnderkant om ongeëvenaarde prestaasjes en veelzijdigheid te leverjen.

Untworpen foar de easken fan moderne mikro-elektroanika, ús SOI-wafer biedt in solide basis foar de fabrikaazje fan yngewikkelde yntegreare sirkwy (IC's) mei superieure snelheid, enerzjyeffisjinsje en betrouberens.De boppeste silisiumlaach makket de naadleaze yntegraasje fan komplekse elektroanyske komponinten mooglik, wylst de isolearjende oksidelaach parasitêre kapasitânsje minimalisearret, en de algemiene apparaatprestaasjes ferbetterje.

Yn it ryk fan RF-applikaasjes blinkt ús SOI-wafer út mei syn lege parasitêre kapasitânsje, hege trochbraakspanning en treflike isolaasje-eigenskippen.Ideaal foar RF-switches, fersterkers, filters en oare RF-komponinten, dit substraat soarget foar optimale prestaasjes yn draadloze kommunikaasjesystemen, radarsystemen, en mear.

Boppedat makket de ynherinte strielingtolerânsje fan ús SOI-wafer it ideaal foar tapassingen foar loft- en definsje, wêr't betrouberens yn hurde omjouwings kritysk is.Syn robúste konstruksje en útsûnderlike prestaasjes skaaimerken garandearje konsekwint wurking sels yn ekstreme omstannichheden.

Key Features:

Three-Layer Architecture: Top silisium laach, isolearjende okside laach, en boaiem silisium substraat.

Superior Microelectronics Performance: Stelt fabrykaasje fan avansearre IC's yn mei ferbettere snelheid en enerzjyeffisjinsje.

Prachtige RF-prestaasjes: Lege parasitêre kapasitânsje, hege trochbraakspanning, en superieure isolaasje-eigenskippen foar RF-apparaten.

Aerospace-grade Betrouberens: Ynherinte stralingstolerânsje soarget foar betrouberens yn hurde omjouwings.

Alsidige applikaasjes: Geskikt foar in breed skala oan yndustry, ynklusyf telekommunikaasje, loftfeart, definsje, en mear.

Belibje de folgjende generaasje fan mikro-elektroanika en RF-technology mei ús avansearre Silicon-On-Insulator (SOI) wafer.Untskoattelje nije mooglikheden foar ynnovaasje en stimulearje foarútgong yn jo applikaasjes mei ús avansearre substraatoplossing.