Patroan Sapphire Substraat PSS 2inch 4inch 6inch icp Dry etsen kin brûkt wurde foar LED-chips

Koarte beskriuwing:

Patterned Sapphire Substraat (PSS) is in substraat wêrop Micro en Nano-struktueren wurde foarme troch litografy en etsentechniken. It wurdt fral brûkt yn LED (Ljocht emitting-diast) produsearje om de effisjinsje fan ljochtekstruksje te ferbetterjen fia oerflakpatroanûntwerp, wêrtroch't de helderheid en prestaasjes fan LED ferbetterje.

Stjoer e-post nei ús

Produkt detail

Produkt tags

Kearn karakteristyk

1. Materiaal skaaimerken: it substraat materiaal is in inkele kristal Sapphire (Al₂o₃), mei hege hurdens, hege waarmte ferset en gemyske stabiliteit.

2 Ofbyldingstruktuer: it oerflak wurdt foarme troch fotolitografy en etsen yn periodike mikro-nano-struktueren, lykas kegels, piramiden as hexagonale arrays.

3. Optyske prestaasjes: Troch it oerflakpatroanûntwerp, wurdt de totale refleksje fan it ljocht yn 'e ynterface fermindere, en de ljochte ekstraksje-effisjinsje wurdt ferbettere.

4. Thermyske prestaasjes: Sapphire Substraat hat poerbêste thermyske konduksje, geskikt foar applikaasjes mei hege macht.

5. Grutte spesifikaasjes: Common grutte binne 2 inch (50,8mm), 4 inch (100mm) en 6 inch (150mm).

Haadapplikaasje gebieten

1 LED-fabrikaazje:
Ferbettere ljochte ekstraksje-effisjinsje: PSS ferminderet ljochtferlies troch patroanûntwerp, ferbetteret LED-helderheid en ljochte effisjinsje

Ferbettere epitaxiale groei-kwaliteit: de patroanstruktuer leveret in bettere groeibasis foar GAN-epitaxiale lagen en ferbetteret LED-prestaasjes.

2. Laser Diode (LD):
Hege macht-lasers: De hege thermyske konduksje en stabiliteit fan PSS binne geskikt foar laserdiages fan hege macht, ferbetterje hjittissipaasjeprestaasje en betrouberens.

Lege drompel aktueel: Oppitarissjegroei, fermindere, ferminderje de drompelromte fan 'e Laser-diode, en ferbetterje effisjinsje.

3. Fotodektor:
Hege gefoelichheid: de hege ljocht oerdracht en lege defekt-tichtens fan 'e PSS ferbetterje de gefoelichheid en antwurdsnelheid fan' e fotodetor.

Wide spektrale reaksje: geskikt foar fotelelectric-deteksje yn 'e ultraviolet nei sichtber berik.

4. Krêftelike elektronika:
Fersifisch hege spanning: Sapphire's hege isolaasje en thermyske stabiliteit binne geskikt foar hege spanningsproblementapparaten.

Effisjele waarmte Dissipaasje: Hege Termale konduksjen ferbetteret hjitfergunningsprestaasje fan 'e prestaasjes fan hjitte fan machtapparaten en ferlinge tsjinst libben.

5 RF-apparaten:
Prestaasje fan hege frekwinsje: it lege dielektryske ferlies en hege thermyske stabiliteit fan PSS binne geskikt foar hege frekwinsje rf-apparaten.

Leech lûd: Hege flatness en leech defekt-tichtheid ferminderje apparaat lûd en ferbetterje sinjaalkwaliteit.

6. Biosensors:
Deteksje fan hege gefoelichheid: de hege ljochte oerdracht en gemyske stabiliteit fan PSS binne geskikt foar biosysoaren fan hege gefoelichheid.

BIOCompatibiliteit: De biompataliteit fan saffier makket it geskikt foar applikaasjes foar medyske en biodeteksje.
Patterned Sapphire Substraat (PSS) mei GAN Epitaxial Materiaal:

Patterned Sapphire Substraat (PSS) is in ideaal substraat foar gan (Gallium Nitride) epitaxiari. De lattige konstant fan saffier is tichtby gan, dy't lattige misches kinne ferminderje en defekten yn epitaxiari. De mikro-nano-struktuer fan it PSS-oerflak ferbetteret net allinich de ljochte ekstruksjes, mar ferbetteret ek de kristalkwaliteit fan 'e GAN-epitaxiale laach, dêrtroch ferbetteret de prestaasjes en betrouberens fan' e LED.

Technyske parameters

Ûnderdiel	Patterned Sapphire Substraat (2 ~ 6inch)
Diameter	50,8 ± 0,1 mm	100,0 ± 0,2 mm	150,0 ± 0,3 mm
Tsjokkens	430 ± 25μm	650 ± 25μm	1000 ± 25μm
SURFORMAASJE ORENATION	C-plane (0001) Off-hoeke nei M-Axis (10-10) 0,2 ± 0,1 °
	C-fleantúch (0001) Off-hoeke nei A-Axis (11-20) 0 ± 0,1 °
Primêre platte oriïntaasje	A-fleantúch (11-20) ± 1.0 °
Primêre platte lingte	16.0 ± 1.0 mm	30,0 ± 1.0 mm	47,5 ± 2.0 mm
R-fleantúch	9-O'Clock
Foarkant oerflak einigje	Patroan
Efterflak einigje finish	Ssp: Fine-Ground, Ra = 0,8-1.2um; DSP: EPI-POLISJE, RA <0.3NM
Laser mark	Efterkant
TTV	≤8μm	≤10μm	≤20μm
BÔGE	≤10μm	≤15μm	≤25μm
Warp	≤12μm	≤20μm	≤30μm
Râne útsluting	≤2 mm
Patroan-spesifikaasje	Foarm struktuer	Dome, Cone, Piramide
	Patroanhichte	1.6 ~ 1,8μm
	Patroan diameter	2,75 ~ 2.85μm
	Patroanromte	0.1 ~ 0.3μm

XKH is spesjalisearre by it leverjen fan hege kwaliteit, oanpast Sapphire Substraat (PSS) mei Technyske stipe om klanten te helpen effisjinte ynnovaasje op it mêd fan LED, werjaan en Optoelebercronics.

1 PSS-oanbod fan hege kwaliteit: patroan fan sapphire substates yn in ferskaat oan grutte (2 ", 4", 6 ") om te foldwaan oan led, werjaan en Optoelectronic-apparaten.

2 (Oanpasse ûntwerp: Oanpasse de ûnderstruktuer fan Micro-Nano (lykas kegel, piramide as hexagon-array) neffens klant moat de ljochte ekstraksje-effisjinsje nedich wêze.

3. Technyske stipe: Soargje foar PSS-applikaasje-ûntwerp, prosesoperimalisaasje en technyske oerlis om klanten te helpen produktprestaasjes te ferbetterjen.

4. Epitaxiale groei-stipe: PSS matched mei GAN-epitaxiale materiaal wurdt levere om te soargjen foar groei fan hege kwaliteit.

5. Testen en sertifikaasje: Soargje foar rapport foar PSS-kwaliteit ynspeksje om te soargjen dat produkten foldogge oan 'e yndustrynormen.