12 inch Dia300x1.0mmt Sapphire Wafer Substrate C-Plane SSP/DSP

Koarte beskriuwing:

Mei de ûntwikkeling fan wittenskip en technology binne nije easken foar de grutte en kwaliteit fan saffierkristalmaterialen nei foaren steld.No, mei de rappe ûntwikkeling fan semiconductor-ferljochting en oare opkommende applikaasjes, wreidet de merk foar lege kosten, hege kwaliteit, grutte grutte saffierkristallen dramatysk út.

Stjoer e-mail nei ús

Produkt Detail

Produkt Tags

12inch Sapphire Substrate Market Situaasje

Op it stuit hat saffier twa haadgebrûk, ien is it substraatmateriaal, dat foaral LED-substraatmateriaal is, de oare is it horloazjewiel, loftfeart, loftfeart, spesjale fabrikaazjefinstermateriaal.

Hoewol silisiumkarbid, silisium en galliumnitride binne ek beskikber as substraten foar leds neist saffier, massaproduksje is noch altyd net mooglik troch kosten en guon ûnoploste technyske knelpunten.Sapphire substraat troch de technyske ûntwikkeling yn de ôfrûne jierren, syn lattice matching, elektryske conductivity, meganyske eigenskippen, termyske conductivity en oare eigenskippen binne gâns ferbettere en befoardere, kosten-effektive foardiel is wichtich, dus saffier is wurden de meast folwoeksen en stabile substraat materiaal yn 'e LED-yndustry, is in protte brûkt yn' e merk, it merkoandiel sa heech as 90%.

Karakteristyk fan 12 Inch Sapphire Wafer Substrate

1. Sapphire substraat oerflakken hawwe in ekstreem lege dieltsje count, mei minder as 50 dieltsjes 0,3 microns of grutter per 2 inch yn de 2 oan 8 inch grutte berik, en grutte metalen (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni , Cu, Zn) ûnder 2E10/cm2.It 12-inch basismateriaal wurdt ek ferwachte om dizze klasse te berikken.
2. Kin brûkt wurde as drager wafer foar de 12-inch semiconductor manufacturing proses (yn-apparaat ferfier pallets) en as substraat foar bonding.
3. Kin de foarm fan konkave en konvex oerflak kontrolearje.
Materiaal: Hoge suverens ienkristal Al2O3, saffierwafel.
LED kwaliteit, gjin bubbels, barsten, twilling, lineage, gjin kleur ..etc.

12 inch Sapphire Wafers

Oriïntaasje	C-plane<0001> +/- 1 graden.
Diameter	300,0 +/-0,25 mm
Dikte	1.0 +/-25um
Notch	Noch of Flat
TTV	<50um
BÔGE	<50um
Rânen	Protaktive ôfkarring
Foarside - gepolijst 80/50
Laser mark	Gjin
Ferpakking	Single wafer carrier doaze
Foarkant Epi klear gepolijst (Ra <0,3nm)
Efterkant Epi klear gepolijst (Ra <0,3nm)