SiC
-
SiC-baar 4H-type Diameter 4 inch 6 inch Dikte 5-10 mm Undersyks- / Dummy-klasse
-
Sic Substraat Silisiumkarbide Wafer 4H-N Type Hege Hurdens Korrosjebestriding Prime Grade Polishing
-
2 inch silisiumkarbidwafel 6H-N type primêre kwaliteit ûndersykskwaliteit dummykwaliteit 330 μm 430 μm dikte
-
2 inch silisiumkarbid substraat 6H-N dûbelsidich gepolijst diameter 50.8mm produksjegraad ûndersyksgraad
-
N-Type SiC Komposite Substraten Dia6inch Monokristallijne en substraat fan lege kwaliteit fan hege kwaliteit
-
Semi-isolearjende SiC-kompositsubstraten Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
N-Type SiC op Si-kompositsubstraten Dia6 inch
-
SiC-substraat Dia200mm 4H-N en HPSI Silisiumkarbid
-
3 inch SiC substraat produksjediameter 76,2 mm 4H-N
-
SiC-substraat P- en D-klasse Dia50mm 4H-N 2inch
-
SiC-baar 4H-N type Dummy-klasse 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch dikte: >10 mm
-
200mm SiC substraat dummy klasse 4H-N 8 inch SiC wafer