Sic optyske lens 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Oanpaste grutte

1. Hege brekingsyndeks & breed transmissiefinster: SiC optyske lenzen litte útsûnderlike optyske prestaasjes sjen mei in brekingsyndeks fan sawat 2.6-2.7 oer har operasjonele spektrum. Dit brede transmissiefinster (600-1850 nm) omfettet sawol sichtbere as tichtby-ynfrareade gebieten, wêrtroch't se benammen weardefol binne foar multispektrale ôfbyldingssystemen en breedbân optyske tapassingen. De lege absorpsjekoëffisjint fan it materiaal yn dizze beriken soarget foar minimale sinjaalferswakking, sels yn lasertapassingen mei hege krêft.

2. Útsûnderlike net-lineare optyske eigenskippen: De unike kristallijne struktuer fan silisiumkarbid jout it opmerklike net-lineare optyske koëffisiënten (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2), wêrtroch effisjinte frekwinsjekonverzjeprosessen mooglik binne. Dizze eigenskippen wurde aktyf eksploitearre yn baanbrekkende tapassingen lykas optyske parametryske oscillatoren, ultrasnelle lasersystemen en folslein optyske sinjaalferwurkingsapparaten. De hege skeadrompel fan it materiaal (>5 GW/cm2) ferbetteret fierder syn geskiktheid foar tapassingen mei hege yntensiteit.

3. Mechanyske en termyske stabiliteit: Mei in elastyske modulus fan hast 400 GPa en in termyske geliedingsfermogen fan mear as 300 W/m·K, behâlde SiC optyske komponinten útsûnderlike stabiliteit ûnder meganyske stress en termyske syklussen. De ultra-lege koëffisjint fan termyske útwreiding (4.0 × 10-6/K) soarget foar minimale fokale ferskowing mei temperatuerfarianten, in kritysk foardiel foar presyzje optyske systemen dy't operearje yn fluktuearjende termyske omjouwings lykas romtetapassingen of yndustriële laserferwurkingsapparatuer.

4. Kwantumeigenskippen: De silisiumfakaânsje (VSi) en divakansje (VSiVC) kleursintra yn 4H-SiC en 6H-SiC polytypen litte optysk adressearbere spinstaten sjen mei lange koherinsjetiden by keamertemperatuer. Dizze kwantumemitters wurde yntegrearre yn skalberbere kwantumnetwurken en binne benammen beloftefol foar it ûntwikkeljen fan kwantumsensors en kwantumûnthâldapparaten by keamertemperatuer yn fotonyske kwantumkompjûterarsjitektueren.

5. CMOS-kompatibiliteit: De kompatibiliteit fan SiC mei standert healgeleiderfabrikaazjeprosessen makket direkte monolityske yntegraasje mei silisiumfotonikaplatfoarms mooglik. Dit makket it mooglik om hybride fotonysk-elektroanyske systemen te meitsjen dy't de optyske foardielen fan SiC kombinearje mei de elektroanyske funksjonaliteit fan silisium, wêrtroch nije mooglikheden iepene wurde foar systeem-op-chip-ûntwerpen yn optyske kompjûter- en sensorapplikaasjes.