Products
-
p-type 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC substraat 4inch 〈111〉± 0.5°Nul MPD
-
SiC substraat P-type 4H/6H-P 3C-N 4inch withe dikte fan 350um Production grade Dummy grade
-
4H/6H-P 6inch SiC wafer Zero MPD grade Production Grade Dummy Grade
-
P-type SiC wafer 4H/6H-P 3C-N 6 inch dikte 350 μm mei primêre platte oriïntaasje
-
Alumina keramyske earm oanpast Keramyske robotyske earm
-
Sapphire tube KY Metoade allegear transparant Oanpasber
-
Al2O3 99.999% saffier oanpast blêd transparant slijtbestindich 38×4.5×0.3mmt
-
Sapphire blade hiertransplantaasje kin wurde oanpast foar medyske doelen
-
Lilac YAG grûnstof poeder pears op foarried
-
TVG proses op kwarts saffier BF33 wafer Glass wafer punching
-
Single Crystal Silicon Wafer Si Substrate Type N / P Opsjoneel Silicon Carbide Wafer
-
N-Type SiC Composite Substraten Dia6inch Hege kwaliteit monokristallijn en lege kwaliteit substraat