Op 'e 26e kundige Power Cube Semi de suksesfolle ûntwikkeling oan fan' e earste 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET-halfgeleider fan Súd-Korea.
Yn ferliking mei besteande Si (Silisium) basearre semiconductors, SiC (Silicon Carbide) kin ferneare hegere spanningen, dêrtroch wurdt begroet as de folgjende-generaasje apparaat dat liedt de takomst fan macht semiconductors.It tsjinnet as in krúsjale komponint dy't nedich is foar it yntrodusearjen fan avansearre technologyen, lykas de proliferaasje fan elektryske auto's en de útwreiding fan datasintra dreaun troch keunstmjittige yntelliginsje.
Power Cube Semi is in fabelleaze bedriuw dat krêfthalfgeleiderapparaten ûntwikkelet yn trije haadkategoryen: SiC (Silisiumkarbid), Si (Silisium), en Ga2O3 (Gallium Oxide).Koartlyn hat it bedriuw Schottky Barrier Diodes (SBD's) mei hege kapasiteit tapast en ferkocht oan in wrâldwide elektryske autobedriuw yn Sina, en krige erkenning foar har semiconductor-ûntwerp en technology.
De frijlitting fan 'e 2300V SiC MOSFET is opmerklik as de earste sa'n ûntwikkelingsgefal yn Súd-Korea.Infineon, in wrâldwide macht semiconductor bedriuw basearre yn Dútslân, kundige ek de lansearring fan har 2000V-produkt yn maart oan, mar sûnder in 2300V-produktopstelling.
Infineon's 2000V CoolSiC MOSFET, mei gebrûk fan it TO-247PLUS-4-HCC-pakket, foldocht oan 'e fraach nei ferhege krêfttichte ûnder ûntwerpers, en soarget foar systeembetrouberens sels ûnder strange betingsten foar hege spanning en skeakelfrekwinsje.
De CoolSiC MOSFET biedt in hegere direkte stroomferbiningsspanning, wêrtroch krêftferheging mooglik is sûnder stroom te ferheegjen.It is it earste diskrete silisiumkarbidapparaat op 'e merke mei in ôfbraakspanning fan 2000V, mei it TO-247PLUS-4-HCC-pakket mei in krûpôfstân fan 14mm en in klaring fan 5.4mm.Dizze apparaten hawwe lege skeakelferlies en binne geskikt foar tapassingen lykas sinnestring-ynverters, enerzjyopslachsystemen en opladen fan elektryske auto's.
De CoolSiC MOSFET 2000V-produktsearje is geskikt foar hege spanning DC-bussystemen oant 1500V DC.Yn ferliking mei de 1700V SiC MOSFET biedt dit apparaat genôch oerspanningsmarzje foar 1500V DC-systemen.De CoolSiC MOSFET biedt in drompelspanning fan 4.5V en komt foarsjoen fan robúste lichemsdiodes foar hurde kommutaasje.Mei .XT ferbining technology, dizze komponinten biede poerbêst termyske prestaasjes en sterke vochtigheid ferset.
Neist de 2000V CoolSiC MOSFET sil Infineon ynkoarten komplemintêre CoolSiC-diodes lansearje ynpakt yn TO-247PLUS 4-pin en TO-247-2 pakketten yn respektivelik it tredde fearnsjier fan 2024 en it lêste fearnsjier fan 2024.Dizze diodes binne benammen geskikt foar sinne-applikaasjes.Matching poarte bestjoerder produkt kombinaasjes binne ek beskikber.
De CoolSiC MOSFET 2000V-produktsearje is no te krijen op 'e merke.Fierder biedt Infineon gaadlike evaluaasjeboerden: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Untwikkelders kinne dit boerd brûke as in krekte algemiene testplatfoarm om alle CoolSiC MOSFET's en diodes te evaluearjen op 2000V, lykas de EiceDRIVER kompakte ienkanaal isolaasjepoarte-bestjoerder 1ED31xx produktsearje fia dual-puls of trochgeande PWM-operaasje.
Gung Shin-soo, Chief Technology Officer fan Power Cube Semi, sei: "Wy koene ús besteande ûnderfining yn 'e ûntwikkeling en massaproduksje fan 1700V SiC MOSFET's útwreidzje nei 2300V.
Post tiid: Apr-08-2024