GaAs laser epitaksiale wafer 4 inch 6 inch VCSEL fertikale holte oerflak emisje laser golflingte 940nm single junction
De wichtichste skaaimerken fan GaAs laser epitaxial sheet omfetsje
1. Single-junction struktuer: Dizze laser is meastentiids gearstald út in inkele kwantum goed, dat kin soargje effisjinte ljocht emission.
2. Wavelength: De golflingte fan 940 nm makket it yn it ynfraread spektrum berik, geskikt foar in ferskaat oan tapassingen.
3. Hege effisjinsje: Yn ferliking mei oare soarten lasers hat VCSEL in hege elektro-optyske konverzje-effisjinsje.
4. Kompaktens: It VCSEL-pakket is relatyf lyts en maklik te yntegrearjen.
5. Lege drompelstrom en hege effisjinsje: Begraven heterostruktuerlasers fertoane ekstreem lege lasende drompelstromdichtheid (bgl. 4mA / cm²) en hege eksterne differinsjaal kwantumeffisjinsje (bgl. 36%), mei lineêre útfierkrêft fan mear as 15mW.
6. Waveguide modus stabiliteit: De begroeven heterostructure laser hat it foardiel fan waveguide modus stabiliteit troch syn brekingsyndeks begelaat waveguide meganisme en smelle aktive strip breedte (sawat 2μm).
7. Excellent photoelectric konverzje effisjinsje: Troch optimalisearjen fan it epitaxial groei proses, hege ynterne kwantum effisjinsje en photoelectric konverzje effisjinsje kinne wurde krigen om te ferminderjen ynterne ferlies.
8. Hege betrouberens en libben: heechweardige epitaksiale groeitechnology kin epitaksiale blêden tariede mei in goed oerflakke uterlik en lege defektdichte, it ferbetterjen fan produktbetrouberens en it libben.
9. Geskikt foar in ferskaat oan tapassingen: GAAS-basearre laserdiode epitaksiale blêd wurdt breed brûkt yn optyske fiberkommunikaasje, yndustriële applikaasjes, ynfraread en fotodetektors en oare fjilden.
De wichtichste manieren fan tapassing fan GaAs laser epitaksiaal blêd omfetsje
1. Optyske kommunikaasje en datakommunikaasje: GaAs epitaksiale wafers wurde in protte brûkt op it mêd fan optyske kommunikaasje, benammen yn optyske kommunikaasjesystemen mei hege snelheid, foar it meitsjen fan optoelektroanyske apparaten lykas lasers en detektors.
2. Yndustriële applikaasjes: GaAs laser epitaksiale blêden hawwe ek wichtige gebrûk yn yndustriële tapassingen, lykas laserferwurking, mjitting en sensing.
3. Konsuminteelektronika: Yn konsuminteelektronika wurde GaAs epitaksiale wafers brûkt foar it meitsjen fan VCsels (fertikale holte oerflak-emittearjende lasers), dy't in protte brûkt wurde yn smartphones en oare konsuminteelektronika.
4. Rf-applikaasjes: GaAs-materialen hawwe wichtige foardielen yn it RF-fjild en wurde brûkt foar it meitsjen fan hege prestaasjes RF-apparaten.
5. Quantum dot lasers: GAAS-basearre quantum dot lasers wurde breed brûkt yn kommunikaasje, medyske en militêre fjilden, benammen yn 'e 1.31µm optyske kommunikaasjeband.
6. Passive Q-switch: De GaAs-absorber wurdt brûkt foar diode-pompe solid state lasers mei passive Q-skeakel, dy't geskikt is foar mikro-ferwurking, fariearjen en mikro-sjirurgy.
Dizze applikaasjes demonstrearje it potensjeel fan GaAs laser epitaksiale wafers yn in breed skala oan hege-tech applikaasjes.
XKH biedt GaAs epitaksiale wafels mei ferskate struktueren en dikten ôfstimd op klanteasken, dy't in breed oanbod fan tapassingen befetsje lykas VCSEL / HCSEL, WLAN, 4G / 5G basisstasjons, ensfh. XKH's produkten wurde makke mei avansearre MOCVD-apparatuer om hege prestaasjes en betrouberens. Yn termen fan logistyk, wy hawwe in breed skala oan ynternasjonale boarne kanalen, kinne fleksibel omgean it oantal oarders, en leverje wearde-tafoege tsjinsten lykas tinning, segmentation, ensfh Effisjinte levering prosessen soargje op-time levering en foldwaan klant easken foar kwaliteit en levertiden. Nei oankomst kinne klanten wiidweidige technyske stipe en tsjinst nei ferkeap krije om te soargjen dat it produkt soepel yn gebrûk wurdt.
Detaillearre diagram
