4H-N 8 inch SiC-substraatwafer Silisiumkarbide Dummy Undersyksklasse 500um dikte

Koarte beskriuwing:

Silisiumkarbidwafers wurde brûkt yn elektroanyske apparaten lykas krêftdiodes, MOSFET's, mikrogolfapparaten mei hege fermogen en RF-transistors, wêrtroch effisjinte enerzjykonverzje en enerzjybehear mooglik binne. SiC-wafers en substraten wurde ek brûkt yn auto-elektroanika, loftfeartsystemen en duorsume enerzjytechnologyen.

Stjoer e-post nei ús

Produktdetail

Produktlabels

Hoe kieze jo silisiumkarbidwafers en SiC-substraten?

By it kiezen fan silisiumkarbide (SiC) wafers en substraten binne d'r ferskate faktoaren om te beskôgjen. Hjir binne wat wichtige kritearia:

Materiaaltype: Bepale it type SiC-materiaal dat by jo tapassing past, lykas 4H-SiC of 6H-SiC. De meast brûkte kristalstruktuer is 4H-SiC.

Dopingtype: Beslute oft jo in doped of ûndoped SiC-substraat nedich binne. Algemiene dopingtypen binne N-type (n-doped) of P-type (p-doped), ôfhinklik fan jo spesifike easken.

Kristalkwaliteit: Beoardielje de kristalkwaliteit fan 'e SiC-wafers of substraten. De winske kwaliteit wurdt bepaald troch parameters lykas it oantal defekten, kristallografyske oriïntaasje en oerflakteruwheid.

Waferdiameter: Kies de passende wafergrutte op basis fan jo tapassing. Gewoane maten binne 2 inch, 3 inch, 4 inch en 6 inch. Hoe grutter de diameter, hoe mear opbringst jo per wafer kinne krije.

Dikte: Tink oan de winske dikte fan 'e SiC-wafers of substraten. Typyske dikte-opsjes fariearje fan in pear mikrometers oant ferskate hûnderten mikrometers.

Oriïntaasje: Bepale de kristallografyske oriïntaasje dy't oerienkomt mei de easken fan jo applikaasje. Algemiene oriïntaasjes omfetsje (0001) foar 4H-SiC en (0001) of (0001̅) foar 6H-SiC.

Oerflakôfwerking: Evaluearje de oerflakôfwerking fan 'e SiC-wafers of substraten. It oerflak moat glêd, gepolijst en frij fan krassen of fersmoarging wêze.

Reputaasje fan leveransier: Kies in betroubere leveransier mei wiidweidige ûnderfining yn it produsearjen fan SiC-wafers en substraten fan hege kwaliteit. Tink oan faktoaren lykas produksjemooglikheden, kwaliteitskontrôle en klantbeoardielingen.

Kosten: Tink oan de kostenymplikaasjes, ynklusyf de priis per wafer of substraat en alle ekstra oanpassingskosten.

It is wichtich om dizze faktoaren sekuer te beoardieljen en te oerlizzen mei yndustryeksperts of leveransiers om te soargjen dat de keazen SiC-wafers en substraten foldogge oan jo spesifike tapassingseasken.