2 inch silisiumkarbid substraat 6H-N dûbelsidich gepolijst diameter 50.8mm produksjegraad ûndersyksgraad

2-inch silisiumkarbide substraat 6H-N dûbelsidich gepolijst diameter 50,8 mm produksjekwaliteit ûndersykskwaliteit Featured Image

Koarte beskriuwing:

Silisiumkarbid (SiC), ek wol bekend as karborundum, is in healgeleider dy't silisium en koalstof befettet mei de gemyske formule SiC. SiC wurdt brûkt yn healgeleiderelektronika-apparaten dy't wurkje by hege temperatueren of hege spanningen, of beide. SiC is ek ien fan 'e wichtige LED-komponinten, it is in populêr substraat foar it kweken fan GaN-apparaten, en it tsjinnet ek as in waarmtefersprieder yn LED's mei hege fermogen.
Silisiumkarbidwafers binne in heechweardige materiaal dat brûkt wurdt by de produksje fan elektroanyske apparaten. It is makke fan in silisiumkarbidlaach yn in silisiumkristalkoepel en is beskikber yn ferskate kwaliteiten, typen en oerflakôfwerkingen. Wafers hawwe in flakheid fan Lambda/10, wat soarget foar de heechste kwaliteit en prestaasjes foar elektroanyske apparaten makke fan wafers. Silisiumkarbidwafers binne ideaal foar gebrûk yn krêftelektronika, LED-technology en avansearre sensoren. Wy leverje silisiumkarbidwafers (sic) fan hege kwaliteit foar de elektroanika- en fotonika-yndustry.

Stjoer e-post nei ús

Produktdetail

Produktlabels

De folgjende binne de skaaimerken fan 2-inch silisiumkarbidwafer:

1. Bettere strielingsresistinsje: SIC-wafers hawwe in sterkere strielingsresistinsje, wêrtroch't se geskikt binne foar gebrûk yn strielingsomjouwings. Foarbylden binne romtefarderskippen en kearnsintrales.

2. Hegere hurdens: SIC-wafers binne hurder as silisium, wat de duorsumens fan wafers tidens ferwurking ferbetteret.

3. Legere diëlektryske konstante: De diëlektryske konstante fan SIC-wafers is leger as dy fan silisium, wat helpt om parasitêre kapasitânsje yn it apparaat te ferminderjen en hege-frekwinsjeprestaasjes te ferbetterjen.

4. Hegere driftsnelheid fan verzadigde elektronen: SIC-wafers hawwe in hegere driftsnelheid fan verzadigde elektronen as silisium, wêrtroch SIC-apparaten in foardiel hawwe yn hege-frekwinsje-tapassingen.

5. Hegere krêfttichtens: Mei de boppesteande skaaimerken kinne SIC-waferapparaten in hegere krêftútfier berikke yn in lytsere grutte.

2-inch silisiumkarbidwafer hat ferskate tapassingen.
1. Krêftelektronika: SiC-wafers wurde in soad brûkt yn krêftelektronika-apparatuer lykas krêftomvormers, omvormers en heechspanningsskakelaars fanwegen har hege trochslachspanning en lege krêftferlies.

2. Elektryske auto's: Silisiumkarbidwafers wurde brûkt yn krêftelektronika foar elektryske auto's om de effisjinsje te ferbetterjen en gewicht te ferminderjen, wat resulteart yn rapper opladen en in langer rydberik.

3. Duorsume enerzjy: Silisiumkarbidwafers spylje in essensjele rol yn tapassingen fan duorsume enerzjy lykas sinne-omvormers en wynenerzjysystemen, wêrtroch't de effisjinsje en betrouberens fan enerzjykonverzje ferbettere wurde.

4. Loftfeart en definsje: SiC-wafers binne essensjeel yn 'e loftfeart- en definsje-yndustry foar tapassingen dy't resistint binne foar hege temperatueren, hege krêft en strielings, ynklusyf fleantúchkrêftsystemen en radarsystemen.

ZMSH leveret tsjinsten foar it oanpassen fan produkten foar ús silisiumkarbidwafers. Us wafers binne makke fan heechweardige silisiumkarbidlagen út Sina om duorsumens en betrouberens te garandearjen. Klanten kinne kieze út ús seleksje fan wafergrutte en spesifikaasjes om te foldwaan oan har spesifike behoeften.

Us silisiumkarbidewafers binne te krijen yn ferskate modellen en maten, it model is silisiumkarbid.

Wy biede in ferskaat oan oerflakbehannelingen, ynklusyf iensidich/dûbelsidich polearjen mei oerflakrûchheid ≤1.2nm en flakheid Lambda/10. Wy biede ek opsjes foar hege/lege wjerstân dy't oanpast wurde kinne oan jo easken. Us EPD fan ≤1E10/cm2 soarget derfoar dat ús wafers foldogge oan de heechste yndustrynoarmen.

Wy hawwe soargen oer elk detail fan 'e ferpakking, skjinmeitsjen, antistatysk, skokbehanneling. Neffens de kwantiteit en foarm fan it produkt sille wy in oar ferpakkingsproses nimme! Hast troch ienkele waferkassettes of 25 stiks kassette yn in skjinmeitskeamer fan 100 graden.