Substraat
-
Silisiumkarbide SiC-ingots 6 inch N-type Dummy/prime grade dikte kin oanpast wurde
-
6 yn silisiumkarbid 4H-SiC healisolearjende ingots, dummy-kwaliteit
-
SiC-baar 4H-type Diameter 4 inch 6 inch Dikte 5-10 mm Undersyks- / Dummy-klasse
-
6 inch saffier Boule saffier blank ienkristal Al2O3 99.999%
-
Sic Substraat Silisiumkarbide Wafer 4H-N Type Hege Hurdens Korrosjebestriding Prime Grade Polishing
-
2 inch silisiumkarbidwafel 6H-N type primêre kwaliteit ûndersykskwaliteit dummykwaliteit 330 μm 430 μm dikte
-
2 inch silisiumkarbid substraat 6H-N dûbelsidich gepolijst diameter 50.8mm produksjegraad ûndersyksgraad
-
p-type 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC substraat 4 inch 〈111〉± 0.5°Nul MPD
-
SiC-substraat P-type 4H/6H-P 3C-N 4 inch mei in dikte fan 350 µm Produksjekwaliteit Dummy-kwaliteit
-
4H/6H-P 6-inch SiC-wafer Nul MPD-klasse Produksjeklasse Dummy-klasse
-
P-type SiC-wafer 4H/6H-P 3C-N 6 inch dikte 350 μm mei primêre platte oriïntaasje
-
TVG-proses op kwarts saffier BF33 wafer Glêzen waferpons